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Thesis: Erforschung von Tunnel-Feldeffekttransistoren mit III/V-Si Heterostrukturen

Im Rahmen dieser Masterarbeit sollen Tunnel-Feldeffekttransistoren mit III/V Halbleitern auf Silizium in Kooperation mit der Hokkaido Universität, Japan untersucht werden. Tunnel-Feldeffekttransistoren sind neuartige, besonders energiesparende Transistoren. Dabei erfolgt der Ladungsträgertransport durch quantenmechanisches Band-zu-Band-Tunneln, das ein Einschalten des Transistors bei sehr kleinen Spannungen ermöglichen soll. Halbleiter mit kleineren Bandlücken sind dafür besonders geeignet. Deswegen sollen hier III/V Halbleiter in Verbindung mit Silizium verwendet werden. Die Universität Hakkaido hat bereits herausragende Ergebnisse mit III/V Halbleiter erzielt, die nun basierend auf unseren Erfahrungen mit Si Tunnel-FETs auf Silizium integriert werden sollen und so auch die Performanz gesteigert werden. Die Aufgabe wird sein, die Si-Nanostrukturen im neuen Reinraum u.a. mit Elektronenstrahllithographie herzustellen und die fertigen Bauelemente elektrisch mit I-V und C-V Messungen eingehend zu charakterisieren und die Transportmechanismen zu untersuchen.



Weitere Informationen

Unternehmen
Helmholtz Gemeinschaft
Bereich/Abteilung
PGI-9 - Halbleiter-Nanoelektronik - Forschungszentrum Jülich
Abschlussart
Masterarbeit
Ansprechpartner/in
Peter Grünberg Institut 9-IT (PGI-9-IT)
Forschungszentrum Jülich
D-52425 Jülich

s.mantl@fz-juelich.de

Tel.: 02461-613643
Fax: 02461-614673
Branche
Elektrotechnik
Anforderungen
Gute Kenntnisse der Festkörperphysik und experimentelles Geschick sind erwünscht.
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